SK Hynix anuncia el primer chip de memoria NAND TLC 4D de 238 capas del mundo

Por: Michael Korgs | 04.08.2022, 13:46
SK Hynix anuncia el primer chip de memoria NAND TLC 4D de 238 capas del mundo

El primer chip NAND 3D de la compañía tiene 238 capas, lo que lo convierte en el más numeroso de su clase en la industria. Los nuevos dispositivos de 512 GB prometen ser relativamente económicos y permitirán a SK Hynix producir unidades SSD de bajo coste. Además, con la producción de memorias flash de alto nivel con productos NAND 3D de 238 capas en capacidades de 512 GB, el fabricante de memorias podrá aprender a producir en masa memorias flash con más capas.

El primer dispositivo NAND 3D del mundo con 238 capas de SK Hynix es una estructura de celdas de tres niveles (TLC) con 512 GB (64 GB) de capacidad de almacenamiento y una velocidad de interfaz de 2400 MT/s, un 50% más que la generación anterior de NAND insignia del fabricante surcoreano. El nuevo chip de memoria NAND 3D mejora la eficiencia energética de lectura en un 21%, lo que será útil tanto para los ordenadores móviles como para los smartphones.

El chip incorpora memoria flash de trampa de carga (CTF), así como células NAND 4D periféricas de SK Hynix (PUC). Las células periféricas (PUC) de la empresa reducen el coste de la memoria NAND al disminuir el tamaño de los dispositivos.

los chips NAND 3D de 238 capas de SK Hynix son técnicamente más avanzados que los chips NAND 3D de 232 capas de Micron, que salieron al mercado en julio. Como los módulos NAND 3D de 232 capas de Micron tienen una capacidad de 1 GB, ofrecen más espacio de almacenamiento por chip y permiten la producción de paquetes NAND 3D de hasta 2 TB. Sin embargo, SK Hynix afirma que sus dispositivos NAND 3D de 238 capas a 1 Gb/s estarán disponibles el próximo año.

Cuando se trata de desarrollar unidades SSD rápidas de gama media (que podrían figurar en nuestra lista de las mejores unidades SSD), los chips NAND 3D de 512 gigabits y 238 capas pueden tener algunas ventajas sobre los chips NAND 3D de 1 gigabit y 232 capas. Cuando se utilizan los ocho canales de NAND, ocho dispositivos NAND 3D de 512 GB permiten producir unidades de 512 GB con todas las posibilidades de alcanzar ese objetivo.

SK Hynix planea comenzar la producción en masa de dispositivos TLC NAND 3D de 238 capas (también conocidos como NAND 4D, si lo prefiere) en la primera mitad de 2023. Al principio, los nuevos chips flash se utilizarán en las unidades SSD de los clientes, pero más adelante se emplearán en smartphones y unidades de alto rendimiento.

Fuente: www.tomshardware.com