Samsung inicia la producción en masa de la nueva memoria V-NAND QLC de 9ª generación

Samsung se ha convertido en la primera empresa del sector de las memorias en lanzar la producción en masa de la 9ª generación de V-NAND de celdas de cuatro niveles (QLC). El gigante tecnológico anunció por primera vez la nueva memoria V9 QLC en agosto, y esta semana ha confirmado que la última tecnología ya está en las líneas de producción.

Esto es lo que sabemos

La nueva memoria está disponible para la producción en masa sólo unos meses después del lanzamiento de la 9ª generación Triple Level Cell (TLC). Samsung empezó a fabricar V-NAND TLC en abril y ahora lanza la nueva tecnología QLC. Esto le ayudará a convertirse en líder del mercado de memorias flash de alta capacidad y velocidad.

La 9ª generación de V-NAND QLC presenta un aumento del 86% en la densidad de bits en comparación con la versión anterior V7 QLC. Ofrece velocidades de E/S de hasta 3,2 GB/s y admite almacenamiento en búfer SLC/TLC.

Samsung utiliza una nueva tecnología Designed Mold para mejorar el espaciado de las celdas de memoria, lo que garantiza su estabilidad y aumenta la eficiencia.

La tecnología Channel Hole Etching permite el mayor número de capas de memoria, y Predictive Program supervisa los cambios de celda para reducir los errores.

Con la nueva 9ª Generación QLC V-NAND, Samsung promete ofrecer soluciones SSD avanzadas que satisfagan las necesidades de la era de la IA.

Fuente: Samsung