Samsung lance la production en masse de la nouvelle mémoire QLC V-NAND de 9e génération

Samsung est devenue la première entreprise du secteur des mémoires à lancer la production de masse de la mémoire V-NAND de 9e génération à cellules de quadruple niveau (QLC). Le géant de la technologie a annoncé la nouvelle mémoire V9 QLC en août et a confirmé cette semaine que la dernière technologie était déjà sur les lignes de production.

Voici ce que nous savons

La nouvelle mémoire est disponible pour la production de masse quelques mois seulement après le lancement de la cellule à triple niveau (TLC) de 9e génération. Samsung a commencé à fabriquer des V-NAND TLC en avril et lance maintenant la nouvelle technologie QLC. Celle-ci lui permettra de devenir le leader du marché des mémoires flash à haute capacité et à grande vitesse.

La 9e génération de QLC V-NAND se caractérise par une augmentation de 86 % de la densité de bits par rapport à la version précédente V7 QLC. Elle offre des vitesses d'E/S allant jusqu'à 3,2 Go/s et prend en charge la mise en mémoire tampon SLC/TLC.

Samsung utilise une nouvelle technologie "Designed Mold" pour améliorer l'espacement des cellules de mémoire, ce qui garantit leur stabilité et augmente leur efficacité.

La technologie Channel Hole Etching permet d'obtenir le plus grand nombre de couches de mémoire, et Predictive Program surveille les changements de cellules pour réduire les erreurs.

Avec la nouvelle QLC V-NAND de 9e génération, Samsung promet de fournir des solutions SSD avancées qui répondent aux besoins de l'ère de l'IA.

Source : Samsung