Українська версія gg виходить за підтримки маркетплейсу Allo

SK Hynix анонсувала нове покоління пам'яті UFS 4.1 і ZUFS 4.0

Автор: Влад Черевко | 09 серпня 2024, 14:46
SK Hynix анонсувала нове покоління пам'яті UFS 4.1 і ZUFS 4.0

Південнокорейський виробник напівпровідників SK Hynix представив нові продукти для зберігання даних на саміті FMS 2024. Компанія продемонструвала універсальну флеш-пам'ять UFS 4.1 ємністю 512 ГБ і 1 ТБ, засновану на 321-шаровій стековій флеш-пам'яті V9 1 ТБ TLC NAND, а також новий тип пам'яті для поліпшеного опрацювання ШІ - ZUFS 4.0.

Що відомо

Нові чипи відповідають заявленим характеристикам, включно зі швидкістю передачі даних 2,4 Гбіт/с для TLC. Також були представлені нові зразки V9 об'ємом 2 ТБ QLC, що забезпечують швидкість 3,2 Гбіт/с, і високошвидкісні V9H об'ємом 1 ТБ TLC з показником 3,6 Гбіт/с.

Очікується, що UFS 4.1 поліпшить продуктивність зберігання даних у смартфонах та інших електронних пристроях. Детальні специфікації чипів UFS 4.1 поки що не опубліковані, але передбачається, що вони забезпечать швидкість передачі даних до 8 Гбіт/с, що вдвічі перевищує можливості UFS 4.0.

Також компанія продемонструвала накопичувачі ZUFS 4.0 (Zoned Universal Flash Storage) місткістю 512 Гб і 1 Тб. Це нового типу флеш-пам'ять NAND, яка підвищує швидкість операційної системи смартфона порівняно зі стандартним UFS. Ця пам'ять оптимізована для підвищеної продуктивності додатків на основі ШІ.

Очікується, що нові накопичувачі UFS 4.1 з'являться в смартфонах, таких як Galaxy S25 Ultra.

Джерело: SK Hynix

Читайте gg українською у Telegram