Samsung починає масове виробництво нової пам’яті QLC V-NAND 9-го покоління
Samsung стала першою компанією в індустрії пам’яті, яка запустила масове виробництво Quad-Level Cell (QLC) V-NAND 9-го покоління. Технологічний гігант вперше анонсував нову пам’ять V9 QLC у серпні, а цього тижня підтвердив, що новітні технології вже на конвеєрах.
Що відомо
Нова пам’ять стала доступною для масового виробництва всього через кілька місяців після запуску трирівневої комірки (TLC) 9-го покоління. Samsung почала виготовляти TLC V-NAND у квітні, а тепер запускає нові QLC технології. Це допоможе їй стати лідером на ринку флешпам'яті з великою ємністю і високою швидкістю.
QLC V-NAND 9-го покоління відзначається збільшенням щільності бітів на 86% у порівнянні з попередньою версією V7 QLC. Вона забезпечує швидкість введення-виведення до 3,2 ГБ/с і підтримує буферизацію SLC/TLC.
Samsung використовує нову технологію Designed Mold для покращення інтервалів між клітинами пам'яті, що забезпечує їх стабільність і підвищує ефективність.
Технологія Channel Hole Etching дозволяє створювати найбільшу кількість шарів пам'яті, а Predictive Program контролює зміни в клітинах, щоб зменшити помилки.
З новим QLC V-NAND 9-го покоління Samsung обіцяє забезпечити вдосконалені рішення SSD, які відповідають потребам ери штучного інтелекту.
Джерело: Samsung
