Samsung може почати виробництво 2-нм чипів у США до кінця наступного року

Samsung будує передовий завод з виробництва напівпровідникових чипів у Тейлорі, штат Техас, США. Для цього компанія інвестувала мільярди доларів і нещодавно отримала 4,74 мільярда доларів стимулів від уряду США.

Що відомо

Згідно з новим звітом, Samsung Foundry планує почати виробництво передових напівпровідникових чипів на своєму заводі в Тейлорі з 2026 року. Компанія планує почати виробництво 2-нм та 3-нм чипів у 2026 році, доставити необхідне обладнання на початку року та розпочати випуск продукції до кінця року.

У порівнянні з цим головний конкурент Samsun TSMC, вже розпочала виробництво 4-нм чипів на своєму заводі в Аризоні. До кінця року очікується, що компанія готова буде виробляти 2-нм та 3-нм чипи.

Samsung Foundry використовуватиме технологію Gate All Around (GAA) для виробництва 2-нм та 3-нм чипів, в той час, як TSMC застосовуватиме EUV технологію для 3-нм чипів та GAA для 2-нм.

Хоча Samsung почне виробництво пізніше за TSMC, компанія планує виділитися завдяки послузі "під ключ", спеціально розробленій для чипів штучного інтелекту. Ця послуга скоротить час розробки та виготовлення чипів на 20% для компаній, які не мають власних виробничих потужностей.

Нещодавно Samsung представила свій план Vision 2030, метою якого є стати світовим лідером у виробництві напівпровідників до 2030 року. Однак компанія стикалася з певними труднощами, зокрема через технологічні та стратегічні проблеми, а також через політичні ситуації.

Аналітики вважають, що Samsung Foundry матиме більше шансів на успіх, якщо її відокремлять від Samsung Electronics. Проте голова Samsung Electronics нещодавно заявив, що компанія не планує відокремлювати свій підрозділ виробництва чипів.
 
Джерело: mk.co.kr