Samsung прагне до інновацій: майбутній флагман Galaxy S27 Ultra отримає новітню пам'ять LPDDR6 і передовий чип Snapdragon 8 Elite Gen 6 Pro
Samsung часто критикують за відсутність значущих апаратних поліпшень її смартфонів і багато в чому це виправдано, що довів випуск серії Galaxy S26, яка майже повністю ідентична попередньому поколінню.
Однак корейський виробник все ж не збирається здаватися в конкурентній боротьбі і його флагман 2027 року може стати одним з перших смартфонів у світі з новітньою пам'яттю.
Що відомо
Авторитетний інсайдер Роланд Квандт (Roland Quandt) повідомив, що Galaxy S27 Ultra отримає новітню оперативну пам'ять LPDDR6 у парі з флагманським чипсетом Snapdragon 8 Elite Gen 6 Pro, який Qualcomm представить лише восени.
Більшість смартфонів досі використовують LPDDR5X, а нові чипи забезпечать значний приріст продуктивності та пропускної здатності, в першу чергу завдяки оновленій структурі каналів пам'яті.
Для користувачів це буде означати плавну роботу в режимі багатозадачності та значне прискорення локальних AI-завдань (без підключення до хмари).
За чутками, Snapdragon 8 Elite Gen 6 Pro стане першим чипом від Qualcomm, створеним за 2-нм технологічним процесом TSMC N2P, з покращеним графічним процесором Adreno 850 з 18 МБ GMEM.
Згідно з інсайдерами, в ранніх тестах інженерні зразки нового чипсета вже досягли 5 ГГц і цей показник може досягти 6 ГГц, хоча найбільш реалістичною виглядає тактова частота 5,5 Ггц. Такий розгін став можливим завдяки технології HBP (Heat Pass Block) — терморішенню Samsung, вперше застосованому в першому 2-нм чипі Exynos 2600, яке інтегрує радіатор безпосередньо в корпус однокристальної системи, покращуючи тепловідвід.
Джерела: Gizmochina, @rquandt.bsky.social
