Смартфоны с 8 ГБ ОЗУ станут реальностью благодаря Samsung

Samsung анонсировала первый в индустрии модуль оперативной памяти на 8 ГБ для мобильных устройств. Работа с 4K-разрешением, двойные камеры и виртуальная реальность выдвигают определенные требования к аппаратным ресурсам, в результате возникает необходимость в более производительных решениях. Новая микросхема включает четыре 16-гигабитных чипа LPDDR4 10-нанометрового класса, изготавливаемых с использованием технологических норм от 10 до 20 нм.

Разработанная инженерами Samsung память работает со скоростью до 4266 Мбит/с, в два раза быстрее DDR4 в компьютерах, обладающей пропускной способностью 2133 Мбит/с в пересчете на один разряд шины. В 64-битных системах модуль на 8 ГБ позволяет передавать более 34 ГБ информации в секунду. Это заметно улучшит работу мобильных устройств с 4K-контентом и виртуальными машинами.

По словам производителя, новый чип потребляет примерно столько же, сколько и 20-нанометровые микросхемы предыдущего поколения объемом 4 ГБ. Габаритные размеры модуля составляют всего 15x15x1.0 мм, его можно размещать непосредственно над процессором или UFS-памятью для экономии места на системной плате.

Samsung проложила дорогу смартфонам с 8 ГБ оперативной памяти, плохо это или хорошо — вопрос второй. Слухи приписывают разработку таких монстров китайским компаниям Oppo и LeEco.

Источник: Samsung