Samsung может начать производство 2-нм чипов в США до конца следующего года

Samsung строит передовой завод по производству полупроводниковых чипов в Тейлоре, штат Техас, США. Для этого компания инвестировала миллиарды долларов и недавно получила 4,74 миллиарда долларов стимулов от правительства США.

Что известно

Согласно новому отчету, Samsung Foundry планирует начать производство передовых полупроводниковых чипов на своем заводе в Тейлоре с 2026 года. Компания планирует начать производство 2-нм и 3-нм чипов в 2026 году, доставить необходимое оборудование в начале года и начать выпуск продукции до конца года.

По сравнению с этим главный конкурент Samsun TSMC, уже начала производство 4-нм чипов на своем заводе в Аризоне. До конца года ожидается, что компания готова будет производить 2-нм и 3-нм чипы.

Samsung Foundry будет использовать технологию Gate All Around (GAA) для производства 2-нм и 3-нм чипов, в то время, как TSMC будет применять EUV технологию для 3-нм чипов и GAA для 2-нм.

Хотя Samsung начнет производство позже TSMC, компания планирует выделиться благодаря услуге "под ключ", специально разработанной для чипов искусственного интеллекта. Эта услуга сократит время разработки и изготовления чипов на 20% для компаний, которые не имеют собственных производственных мощностей.

Недавно Samsung представила свой план Vision 2030, целью которого является стать мировым лидером в производстве полупроводников к 2030 году. Однако компания сталкивалась с определенными трудностями, в частности из-за технологических и стратегических проблем, а также из-за политических ситуаций.

Аналитики считают, что Samsung Foundry будет иметь больше шансов на успех, если ее отделят от Samsung Electronics. Однако глава Samsung Electronics недавно заявил, что компания не планирует отделять свое подразделение производства чипов.

Источник: mk.co.kr