Samsung планирует начать массовое производство памяти CXL DRAM, чтобы заработать на популярности ИИ

В то время, как SK Hynix уже утвердился на рынке микросхем с высокой пропускной способностью, благодаря высокоскоростной памяти HBM, Samsung планирует использовать CXL DRAM для удовлетворения растущего спроса на высокопроизводительные модули памяти, необходимые для искусственного интеллекта.

Что известно

Samsung активно развивает память CXL DRAM, чтобы воспользоваться растущим спросом на высокопроизводительные модули памяти, вызванным бумом искусственного интеллекта. Компания уже более 10 лет занимается разработкой CXL и в 2021 году представила первую в отрасли память CXL DRAM, а в 2022 году Samsung выпустила первый в мире чип CXL DRAM емкостью 512 ГБ.

Вице-президент Samsung Чангсок Чой (Jangseok Choi) сообщил, что массовое производство DRAM 256 ГБ, совместимой с CXL 2.0, начнется в конце этого года. Ожидается, что рынок CXL будет стремительно развиваться во второй половине этого года и «взрывно расти» с 2028 года.

CXL (computer express link) повышает эффективность DRAM и других модулей хранения данных при использовании в высокопроизводительных серверах, что позволяет значительно увеличить объем памяти и пропускную способность. Это особенно важно для искусственного интеллекта и машинного обучения, которые требуют огромной мощности обработки данных. Samsung стремится не упустить возможность и занять лидирующие позиции в этой быстрорастущей отрасли.

Источник: Sammobile