SK Hynix анонсировала новое поколение памяти UFS 4.1 и ZUFS 4.0

Южнокорейский производитель полупроводников SK Hynix представил новые продукты для хранения данных на саммите FMS 2024. Компания продемонстрировала универсальную флэш-память UFS 4.1 емкостью 512 ГБ и 1 ТБ, основанную на 321-слойной стековой флэш-памяти V9 1 ТБ TLC NAND, а также новый тип памяти для улучшенной обработки ИИ – ZUFS 4.0.

Что известно

Новые чипы соответствуют заявленным характеристикам, включая скорость передачи данных 2,4 Гбит/с для TLC. Также были представлены новые образцы V9 объемом 2 ТБ QLC, обеспечивающие скорость 3,2 Гбит/с, и высокоскоростные V9H объемом 1 ТБ TLC с показателем 3,6 Гбит/с.

Ожидается, что UFS 4.1 улучшит производительность хранения данных в смартфонах и других электронных устройствах. Подробные спецификации чипов UFS 4.1 пока не опубликованы, но предполагается, что они обеспечат скорость передачи данных до 8 Гбит/с, что вдвое превышает возможности UFS 4.0.

Также компания продемонстрировала накопители ZUFS 4.0 (Zoned Universal Flash Storage) объёмом 512 Гб и 1 Тб. Это нового типа флэш-память NAND, которая повышает скорость операционной системы смартфона по сравнению со стандартным UFS. Эта память оптимизирована для повышенной производительности приложений на основе ИИ.

Ожидается, что новые накопители UFS 4.1 появятся в смартфонах, таких как Galaxy S25 Ultra.

Источник: SK Hynix