Samsung dévoile la mémoire zHBM et le V-NAND à 400 couches pour l'IA
Samsung vient de montrer ce qu'elle prépare pour alimenter les prochaines générations de serveurs d'IA. Au salon Future of Memory and Storage (FMS) 2026, le géant coréen a dévoilé deux avancées majeures : la mémoire zHBM, à empilement vertical, et un prototype V-NAND dépassant 400 couches. Les chiffres annoncés sont impressionnants, mais plusieurs concepts restent sans calendrier de production concret.
La mémoire zHBM : empiler pour aller plus vite
L'architecture zHBM (vertical HBM stacking) représente un changement d'approche radical. Aujourd'hui, la mémoire HBM (High Bandwidth Memory) est disposée à côté du processeur ou de l'accélérateur IA sur un substrat commun. Samsung propose de la placer directement au-dessus de la puce, réduisant ainsi au maximum le trajet des signaux.
Selon Samsung Newsroom, cette configuration permettrait d'atteindre des performances 8 fois supérieures au futur standard HBM5, avec une densité multipliée par 10 et une efficacité énergétique trois fois meilleure. La résistance thermique serait également réduite de 50 %, un point clé pour des systèmes qui consomment des centaines de watts. Samsung précise elle-même que ces chiffres restent des projections théoriques, pas des résultats de tests sur matériel réel.
V10 Bonding V-NAND : le record des 400 couches
Sur le segment du stockage, Samsung a présenté un prototype V10 BV-NAND (Bonding Vertical) dépassant 400 couches. La technique consiste à fabriquer séparément le réseau de cellules mémoire et la logique de contrôle sur deux plaques de silicium, puis à les assembler par collage. Résultat : une densité de stockage en hausse de 58 % par rapport à la génération V9, selon StorageReview. Le concept zNAND-O, orienté vers les systèmes IA embarqués nécessitant une latence minimale, a également été évoqué, sans détails supplémentaires.
Ce qui est déjà disponible — et ce qui ne l'est pas encore
Samsung a aussi mis à jour sa feuille de route pour des produits plus immédiats. Les SSD d'entreprise PM1763 et BM1773 sont en production depuis juillet 2026. La mémoire LPDDR5X-PIM (Processing-in-Memory), une première sur le marché LPDDR, intègre une capacité de calcul directement dans la puce mémoire pour soulager le processeur principal — une fonctionnalité ciblant les appareils IA en périphérie de réseau.
En revanche, zHBM et zNAND-O restent des concepts sans date de livraison ni tarif annoncé. Aucun partenariat avec OVHcloud, Mistral ou d'autres acteurs français n'a été communiqué. La compatibilité avec les accélérateurs NVIDIA ou AMD n'est pas encore validée par des tiers indépendants. Pour les opérateurs de centres de données en France, la prudence reste de mise avant de planifier une migration vers ces nouvelles architectures.
