От двойной архитектуры до вертикального бондинга: как Samsung хочет перевернуть рынок памяти

Автор: Павел Дорошенко, сегодня, 16:44
Стенд Samsung на выставке FMS 2026 Samsung представляет инновационные концепции памяти. Источник: Samsung

На конференции Future of Memory and Storage (FMS) 2026 компания Samsung Electronics решила напомнить рынку, кто здесь главный в производстве полупроводников. Пока конкуренты соревнуются в наращивании емкости существующих решений, корейский гигант выкатил целую пачку концептов и прототипов, которые должны изменить архитектуру вычислительных систем для искусственного интеллекта. Главные звезды программы — память zHBM и невероятный по плотности 400-слойный V-NAND.

Вертикальный взлет zHBM

Наиболее обсуждаемой новинкой стала архитектура zHBM. Если сейчас память HBM (High Bandwidth Memory) располагается рядом с графическим процессором или ИИ-ускорителем на общей подложке, то Samsung предлагает более радикальный подход — ставить её непосредственно над чипом. Это не просто «двухэтажная» конструкция, а попытка максимально сократить путь прохождения сигнала.

По расчетам инженеров Samsung Semiconductor, такая компоновка позволит получить 8-кратное увеличение производительности по сравнению с будущим стандартом HBM5. Помимо скорости, обещают 10-кратное увеличение плотности и втрое лучшую энергоэффективность. Отдельный бонус — снижение теплового сопротивления на 50 %, что критично для систем, которые потребляют сотни ватт. Правда, компания сразу уточняет: это лишь теоретические расчеты концепции, а не результаты тестов реального «железа».

Презентация новых технологий памяти. Фото: Samsung

Битва за слои: V10 Bonding V-NAND

Еще один весомый аргумент в споре за лидерство — прототип V10 Bonding V-NAND, который насчитывает более 400 слоев. Для достижения такой цифры Samsung использовала технологию Bonding Vertical (BV). Суть метода в том, что массив ячеек памяти и управляющая логика изготавливаются на отдельных пластинах, а затем «склеиваются» в единую структуру.

Это позволило увеличить плотность хранения данных на 58 % по сравнению с актуальным поколением V9. Помимо банальной вместимости, такой подход положительно влияет на скорость чтения и записи. На выставке Future of Memory and Storage также упоминали о концепции zNAND-O, ориентированной на периферийные ИИ-системы, где важна минимальная задержка при обработке данных «на месте».

ИИ-серверы и будущие стандарты

Помимо футуристических концептов, Samsung обновила дорожную карту для более приземленных, но критически важных продуктов. Были представлены корпоративные SSD модели PM1763 и BM1773, а также память LPDDR5X-PIM (Processing-in-Memory), которая умеет выполнять часть вычислений прямо внутри чипов памяти, разгружая основной процессор.

Однако стоит сохранять здоровый скептицизм. Компания не назвала ни сроков выхода серийных устройств, ни их стоимости. Пока это демонстрация технологических мышц и видение того, как будут выглядеть дата-центры через несколько лет. Реальная совместимость с ускорителями от NVIDIA или AMD остается под вопросом, пока прототипы не пройдут независимые испытания.

Пока Samsung работает над «железом», программные гиганты меняют подходы к интерфейсам. Например, эпоха Окей Google подходит к концу, так как Gemini становится основным инструментом взаимодействия.

Подписывайтесь на наш нескучный канал в Telegram, чтобы ничего не пропустить.