Революция мобильных чипов: 2-нм чипсет Snapdragon 8 Elite Gen 6 Pro может разогнаться до 5–6 ГГц
Qualcomm, похоже, готовит серьезный скачок в производительности мобильных чипов. Согласно свежей утечке, будущий Snapdragon 8 Elite Gen 6 Pro способен достигать рекордных тактовых частот — вплоть до 5 ГГц, а в теории и до 6 ГГц, что сопоставимо с мощными компьютерными процессорами.
Что известно
Этой информацией поделился китайский инсайдер Fixed Focus Digital в соцсети Weibo.
По его словам, в ранних тестах инженерные образцы нового чипсета уже достигли 5 ГГц и этот показатель может достигнуть 6 ГГц, хотя информатор считает, что более реалистичными все же выглядят 5,5 Ггц.
Такой разгон стал возможен благодаря технологии HBP (Heat Pass Block) — терморешению Samsung, впервые примененному в первом 2-нм чипе Exynos 2600. HBP интегрирует радиатор непосредственно в корпус однокристальной системы, улучшая теплоотвод.
По слухам, Snapdragon 8 Elite Gen 6 Pro станет первым чипом от Qualcomm, созданным по 2-нм техпроцессу TSMC N2P, что также повышает энергоэффективность и частотный потенциал.
Напомним, самый мощный на данный момент чипсет Snapdragon 8 Elite Gen 5 достигает примерно 4,61 ГГц и переход за отметку 5 ГГц станет важным этапом для мобильных SoC, даже если такие частоты будут кратковременными из‑за тепловых ограничений смартфонов.
Если информация от Fixed Focus Digital подтвердятся, то Snapdragon 8 Elite Gen 6 Pro может стать самым высокочастотным мобильным чипом в истории, усилив конкуренцию с Apple и Samsung. Однако реальная производительность будет зависеть от охлаждения в конкретных устройствах — и здесь производителей ждет серьезный вызов.
По неподтвержденным данным Qualcomm выпустит и менее производительный чипсет Snapdragon 8 Elite Gen 6 без приставки Pro, но пока компания не озвучивала своих планов.
Источник: Gizmochina
Подписывайтесь на наш нескучный канал в Telegram, чтобы ничего не пропустить.
