В два раза быстрее и на 16,7% компактнее: Samsung анонсировала новейший стандарт флеш-память UFS 5.0

Samsung Electronics объявила о разработке UFS 5.0 — первой в индустрии флеш-памяти нового стандарта. Мобильная память следующего поколения разработана с учетом требований встроенных AI-систем и работы с большими языковыми моделями (LLM). Новая память ориентирована на использование в флагманских смартфонах, устройствах дополненной и смешанной реальности (XR), а также в носимых гаджетах со встроенным искусственным интеллектом.

Производитель заявляет, что пропускная способность интерфейса, соответствующего новому стандарту JEDEC, достигает 10,8 ГБ/с. Скорость последовательного чтения составляет до 10,8 ГБ/с, а последовательной записи — до 9,5 ГБ/с, что более чем в два раза превышает показатели предыдущего стандарта UFS 4.1. Максимальная емкость накопителей составит 1 ТБ.

Потребление энергии UFS 5.0 снижено более чем на 40% по сравнению с UFS 4.1. Этого удалось достичь благодаря внедрению технологий стробирования тактовых сигналов (clock gating) и многоуровневого питания.

Размеры чипа составляют 7,5 x 13 x 0,9 мм — это на 16,7% меньше предыдущего поколения, что позволяет эффективнее использовать внутреннее пространство устройств.

Массовое производство UFS 5.0 начнется в четвертом квартале 2026 года.

Источник: Samsung Newsroom